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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      75

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      90

      最（zuì）大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

      40

      通（tōng）道极性：

      N沟道

      封装/温（wēn）度(℃)：

      TO-247-3L/-55~125

      描述：

      600V,90mΩ,40A,N沟道基于超级（jí）结（jié）技（jì）术的（de）功率（lǜ）MOSFET


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